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              砷化鎵晶片 GaAs Wafer

              我們研發并生產的2-6英半導體級以及半絕緣級高純度砷化鎵晶體和晶片被廣泛應用于半導體集成電路以及LED通用照明等領域。

              Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


              半導體砷化鎵規格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

              生長方法
                Growth Method 

                 VGF 

                摻雜類型
                Dopant 

                P型:鋅 
                p-type: Zn 

                N型:硅
                n-type: Si

                晶片形狀
                Wafer Shape 

                圓形(尺寸2、3、4、6英寸)
                Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

                晶向 
                Surface Orientation * 

                (100)±0.5° 

                * Other Orientations maybe available upon request 
                  其他晶向要求可根據客戶需求加工 

              Dopant
              摻雜

              硅 (N 型)
              Si (n-type)

              鋅 (P 型)
              Zn (p-type)

              載流子濃度
              Carrier Concentration (cm-3)

              ( 0.8-4) × 1018

              ( 0.5-5) × 1019

              遷移率 
                Mobility (cm2/V.S.)

              ( 1-2.5) × 103

              50-120

                位錯 
                Etch Pitch Density (cm2) 

               100-5000

              3,000-5,000

              直徑
              Wafer Diameter (mm)

              50.8±0.3

              76.2±0.3

              100±0.3

                厚度 
                Thickness (μm) 

              350±25

              625±25

              625±25

                TTV [P/P] (μm) 

              ≤ 4

              ≤ 4

              ≤ 4

                TTV [P/E] (μm) 

              ≤ 10

              ≤ 10

              ≤ 10

                WARP (μm) 

              ≤ 10

              ≤ 10

              ≤ 10

              OF (mm)

              17±1

              22±1

              32.5±1

              OF / IF (mm)

              7±1

              12±1

              18±1

              Polish*

              E/E,
              P/E,
              P/P

              E/E,
              P/E,
              P/P

              E/E,
              P/E,
              P/P

              *E=Etched, P=Polished(*E=腐蝕, P=拋光)

                **If needed by customer 
                    根據客戶需要 


              半絕緣砷化鎵 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

              生長方法

                Growth Method 

                 VGF 

                摻雜類型

                Dopant 

                SI 型:

              SI Type:  Carbon 

                晶片形狀

                Wafer Shape 

                圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

                Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

                晶向 

                Surface Orientation * 

                (100)±0.5° 

                * Other Orientations maybe available upon request 

                  其他晶向要求可根據客戶需求加工 

                電阻率 

                Resistivity  (Ω.cm) 

              ≥ 1 × 107

              ≥ 1 × 108

              遷移率

              Mobility (cm2/V.S)

              ≥ 5,000

              ≥ 4,000

                位錯 

                Etch Pitch Density (cm2

                1,500-5,000

              1,500-5,000

              晶片直徑

              Wafer Diameter (mm)

              50.8±0.3

              76.2±0.3

              100±0.3

              150±0.3

                厚度 

                Thickness (μm) 

              350±25 

              625±25

              625±25

              675±25 

                TTV [P/P] (μm) 

              ≤ 4

              ≤ 4

              ≤ 4

              ≤ 4

                TTV [P/E] (μm) 

              ≤ 10

              ≤ 10

              ≤ 10

              ≤ 10

                WARP (μm) 

              ≤ 10

              ≤ 10

              ≤ 10

              ≤ 15

              OF (mm)

              17±1

              22±1

              32.5±1

              NOTCH

              OF / IF (mm)

              7±1

              12±1

              18±1

              N/A

              Polish*

              E/E,

              P/E,

              P/P

              E/E,

              P/E,

              P/P

              E/E,

              P/E,

              P/P

              E/E,

              P/E,

              P/P

              *E=Etched, P=Polished (*E=腐蝕, P=拋光)

                **If needed by customer 

                    根據客戶需要 


              III-V族襯底產品營銷中心:
              聯系電話:13398718466
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